来源：中国电子报

SEMI发布预测报告，2019年全球晶圆厂设备支出将下降14％，约为530亿美元，预计2020年会出现27％的复苏。在存储器行业放缓的影响下，晶圆厂设备支出连续三年持续增长的态势告一段落。不过，中国市场的设备投资仍然保持增长动能，2019年有望成为继韩国之后的第二大半导体设备市场。

两大因素导致2019年资本支出下滑14%

全球半导体设备市场动向反映了主要厂商的投资状况，如果景气向好，厂商积极投资，设备市场也会同步增长；反之，如果景气不佳，厂商投资意愿也会转趋保守，使得设备市场规模缩减。

晶圆厂设备支出下降的主要原因是受到存储器市场需求疲弱以及晶圆代工厂放缓资本支出两大因素影响。根据SEMI报告的分析，在过去两年中，存储器行业的投资占所有设备支出的55％，存储器市场的任何波动都会影响整体设备市场。而对半年来晶圆厂设备支出的回顾表明，高水平库存和需求疲软导致2018年下半年DRAM和NAND两大存储器价格的下跌，且跌幅大于预期。这是直接导致存储器厂商支出下降的主要原因。根据此前媒体的报道，最大的存储器厂商三星电子为了阻止存储器价格下滑，2019年的整体资本支出将下滑8%，其中在DRAM上的投资大砍20%。而根据SEMI的预测，存储器厂商整体支出将下降36％。

晶圆代工厂是半导体设备支出的第二大影响因素。在过去两年中，每年晶圆代工厂设备订单占整体市场份额在25％到30％之间。SEMI预计，在2019年和2020年晶圆代工厂订单的年度份额将稳定在30％左右。虽然晶圆代工厂在设备支出方面通常波动小于存储厂商，但是此次依然受到市场变化的影响。2018年下半年晶圆代工厂的设备支出下降了13％。

中国市场继续保持增长动能

尽管全球设备支出下降，但是来自中国市场的设备投资却保持增长动能，这也使得未来中国市场的重要性进一步提高。根据ICInsights的报告，2019年全球将有9座新的12英寸晶圆厂开业，其中有5座来自中国。2018年全年一共新开了7家12英寸晶圆厂，而今年又将新增9家12英寸厂，这是继2007年以来一年内最多的一次。SEMI在报告中也指出，2018年中国在晶圆厂方面的投资激增，成为全球第二大设备市场，仅次于韩国。

盘点近年来国内投资建设的晶圆厂情况，根据芯思想研究院的统计，2018年度宣布投产的晶圆厂达到10家；2018年度前已经投产，但2018年开始新产能建设的有4家；2018年度正在建设的全新晶圆生线21条：2018年度规划建的有2家。中国在晶圆厂建设上的投资领先全球。

其中较具代表性的上海华力二期项目于2016年12月30日开工建设，2018年10月18日生产线正式投片，首批12英寸硅片进入设备，开始28纳米工艺芯片制造。长江存储2016年7月26日成立，2016年12月30日国家存储器基地项目正式开工建设，2018年第四季度长江存储一期工程正式投产，32层3DNAND闪存芯片成功实现量产。2018年第三季度中芯宁波8英寸特种工艺N1产线生产设备进厂，2018年11月2日正式投产。同日，N2产线开工建设。

国际厂商在中国大陆进行了大量晶圆厂的布局建设，也是中国设备需求增长的重要原因。盘点重点项目包括：2016年3月台积电南京项目正式落户，2016年7月项目一期开工建设，2018年5月晶圆厂开始试投产。2018年第二季度，英特尔宣布大连厂二期投产，主要生产96层的3DNAND闪存。2018年3月三星宣布在西安举行第二条NAND闪存芯片生产线的奠基仪式，2019年投产。2017年10月29日，SK海力士计划在无锡兴建新厂，项目完成后将形成月产能20万片10纳米工艺等级的晶圆生产线。

上海华虹（集团）有限公司董事长张素心在SEMICONChina2019的开幕主题演讲中指出，中国集成电路企业是全球材料设备企业的重要合作伙伴。中国是全球第二大半导体设备市场，2018年达到118亿美元，预测2019年将成为全球第一大市场，同时也是主要设备厂商最重要的市场。

KLA-Tencor高级副总裁兼首席营销官OresteDonzella表示，尽管业内普遍认为2019年半导体设备市场增长平缓，但中国的晶圆厂设备市场增长却相对较快。

中国设备业应抓住难得的市场机遇

尽管中国半导体以及相关设备市场持续扩大，但是装备制造业一直是中国半导体的薄弱环节。上述半导体设备也大多需要从国际设备厂采购。据美国的半导体产业调查公司VLSIResearch发布的2018年全球半导体生产设备厂商排名，前十厂商美国4家，日本5家，欧州1家。中国供应商还无法满足国内晶圆厂的需求。

不过，经过这些年的发展，国内半导体设备业已呈现出较快增长的势头。北方华创通过近九年的科技攻关，完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证，实现了产业化。中微半导体先后承担并圆满完成65～45纳米、32～22纳米、22～14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化的集成电路专项任务，使我国在该项设备领域中的技术基本保持了与国际先进水平同步。

在市场需求快速增长的背景下，中国设备企业也应抓住机遇，赶上这班高速增长的“列车”。中科院微电子所所长叶甜春指出，要想做强中国集成电路产业特别是装备制造业，几个问题亟待解决：一是产业模式单一，需要在无晶圆设计和芯片代工制造基础上，根据产品特点发展多元的模式，尤其是IDM。二是装备和材料还要加强，现在28纳米以上的产品工艺和特色工艺种类覆盖仍然不够。三是协同发展的产业生态需要尽快形成，“系统-芯片-工艺-装备-材料”紧密协同对整个产业发展至关重要。四是改变产业布局的无序竞争、碎片化与同质化倾向。