供需关系与价格

自2018年以来，受各大厂商3DNAND产能释放影响，大容量NAND价格一路跳水，跌幅达50%左右，近乎回到两年前水平。

供给过剩是价格下跌的一方面因素，而另一方面，是因3DNAND技术的成熟导致TLC型颗粒稳定性上升，大容量芯片成本明显降低导致。

相比之下，SLC、小容量产品价格跌幅不明显，原因在于SLC的应用场景较特殊，受众小，客户需求相对稳定。

市场目前对于NAND市场供过于求表示出强烈的担忧，但我们认为虽然行业将进入下行周期，但这种担忧可能略微过度。

从投片情况来看，2018年全年新扩充的产能有限。

根据IDC的数据，到2019年NAND供给只处于略微失衡的状态，在3Q18缺口最大，供应充足率为3.2%左右。

此外，低价对行业来说不一定全是利空:低价存储器本身对市场需求也能构成一定刺激，这也同样验证了近期在价格下跌周期内，存储厂商收入因需求扩大未见萎缩的逻辑。

三星、东芝/西部数据的QLC闪存于2018年下半年已经陆续出样，乐观来看，年底可能会有QLC硬盘商业化，但大规模量产上市应该还需到2019年甚至更晚。

等QLC普及后，对大容量3DNAND存储价格仍有一定冲击。NAND价格随着技术迭代，越来越便宜是整体趋势，但需求扩大也会在一定程度上对价格下跌形成抵消。

我们认为，到2020年前后，NAND市场规模将会趋于稳定。

NOR:近五年来市场整体萎缩，技术升级有望注入新活力

市场规模及竞争格局

2017年NORFlash市场规模达23亿美元，同比增长24.8%。过去五年来看，整体NORFlash市场呈萎缩趋势，原因在于:1)智能手机逐步替换功能手机，对NOR的需求减少;2)部分高容量产品转而由SLCNand取代。

但Nor市场规模从2016年开始相对稳定，终止下跌趋势，我们认为主要是由于下游新增应用需求，来自:1)智能手机中TDDI以及AMOLED;2)物联网;3)汽车电子。

竞争格局上来看，2017年旺宏在NOR市场的份额位居第一，达26%左右。

Cypress位列其次，我国的兆易创新在2017年市占率达8.2%，排名第五位。而从供给端来看，因为利润率不及其他业务原因，Cypress和镁光都在相继缩减产能。

Cypress逐步退出中低容量市场，未来专注于汽车、工业控制等应用的高容量产品，而镁光选择淡出利基型闪存市场，未来更专注于DRAM和NAND生产。积极扩大产能的兆易创新，在未来有望市占率达20%，跻身世界前三。

未来发展趋势

智能手机中TDDI以及AMOLED渗透率的增加，为NOR带来新的市场需求。TDDI是将智能手机的触控与显示驱动集成在一起，整合进单一芯片中。

由于TDDI芯片较为复杂，需要更多的容量来存储分位编码，需要新增一颗NORFlash芯片，因此对NOR的需求有所增加。

根据我们的预估，2018年TDDI渗透率将达到25%，以对应4-16MB的NORFlash测算，带来7,700万美元的市场容量。

同样，AMOLED面板的渗透也是另一大动因。由于AMOLED面板技术门槛较高，目前仍受到亮度均匀性和残像等技术制约，良率无法迅速提升，因此需要进行光学补偿。

光学补偿相关编码较为复杂，无法整合进驱动芯片中，因此需要新增一颗NORFlash芯片来进行存储，iHS预计2018年AMOLED渗透率为30.0%，以对应8-32MB的NORFlash测算，带来1.3亿美元的市场容量。

中国的机会与挑战:本土需求强劲，技术资本开支巨大影响前期利润

虽然中国是全球最大的存储器消费市场之一，但由于过去产业基础薄弱。发展存储器需要在专利技术，人才，资本等多个方面补齐短板。

目前一般采取的方法是通过拥有技术的半导体企业与有资金的地方政府和半导体大基金合作的形式进行推进。

中国主要的存储器项目包括(1)紫光集团与武汉，南京及成都合作展开的NAND与DRAM项目。(2)兆易创新与合肥合作的DRAM项目。(3)联电与福建省合作的存储器项目。

技术差距

DRAM:为了获得更快的速度与更低的能耗，DRAM随摩尔定律的发展一步一步缩小自身尺寸，若采用EUV光刻，制程可微缩至10nm量级。目前，行业前三甲三星、SK海力士及镁光都处于完成1Xnm制程转换或在转换过程中的阶段。具体情况为:

► 三星技术明显领先，目前已有较高的1Xnm制程收入占比，并积极推进1Ynm制程转入进度。平泽厂计划于2019年开始量产10nmLPDDR5芯片。

► 镁光方面，原瑞晶部分已于今年二季度实现到1Xnm的全部转换，并计划于明年转向1Znm，而原华亚科部分仍在向1Xnm制程的转换当中。

► SK海力士已于2017年开始向M14厂一期产线及无锡厂开始导入1Xnm制程，但由于技术壁垒较高，2018上半年良率不达预期，LPDDR4产能仍然有限。

我国的福建晋华目前仅专注于利基型DRAM的制造，技术相对落后，首先导入的产品为25nmDRAM存储器，制程上大概落后三星3代左右。

合肥长鑫将从19nm(1X)制程切入市场，我们预计2020年可开始大规模量产产品。到2019年底，公司产能将达到2万片/月。大概落后三星2-3年。

NAND:由于平面微缩极限的到来，NAND存储器转向3D结构发展。

堆叠层数增多不仅增大容量，更因为绝缘材料及空间结构变化解放了TLC技术的可靠性和寿命问题，使QLC成为可能。这一演进，大大降低了单位GB成本。

3DNAND方面，目前64层产品已经在各大境外厂商中普及，全球3DNAND的出货量占比已经达到1/4有余。今年7月三星96层TLCV-NAND开始量产，在竞争中领先将于今年更晚时间量产96层3DNAND的东芝/西数和镁光。

我国长江存储(YMTC)自主研发的32层3D-NAND产品将于年底量产出货，其今年刚发布了Xtacking技术，将帮助NAND存储器实现与DDR4内存I/O速度，及更大的堆叠密度，并将用于明年量产的64层3D-NAND产品中。

大体来看，技术相媲美的上落后全球大厂3年左右的时间。

资金投入

存储器是典型的资本密集型行业。如我们先前所述，为了获得制程的领先及规模带来的低成本优势，各厂商不得不采用IDM模式或虚拟IDM模式来经营，并且在适当时点上不遗余力投资。

随着先进制程成本的增加，有扩产计划的厂商资本开支明显加大。目前市占率较高的三星、镁光、SK海力士及东芝在存储器上的年资本支出均超过50亿美金。

我国的紫光集团(南京+成都+武汉)、合肥睿力及福建晋华的总投资分别达到780亿美元，72亿美元及53亿美元，数额巨大。

事实上中国巨额的投入也间接促进了韩、美两国大厂资本开支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的资本开支就达到200亿美金，因此，我国厂商的数字分摊到每年，还难以和龙头厂商相比。

虽然在量产初期，如此巨大的资本开支也会给中国企业带来不小的折旧压力，下行周期中技术、管理略逊的中国企业可能必须经历几年内亏损，但若想实现存储器的国产替代，这种投入十分必要。